| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 60V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 500mA, 5A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-39 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 870mW |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Altri nomi: | 497-2635-5 |
| temperatura di esercizio: | 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 100MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 5A 100MHz 870mW Through Hole TO-39 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 2A, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 10µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 5A |
| Numero di parte base: | BFX34 |
| Email: | [email protected] |
