Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-RF > BA892H6127XTSA1
BA892H6127XTSA1
BA892H6127XTSA1
Modello di prodotti:
BA892H6127XTSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
67308 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BA892H6127XTSA1.pdf
Inchiesta

introduzione

BA892H6127XTSA1 miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di BA892H6127XTSA1, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BA892H6127XTSA1 via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Picco inversa (max):35V
Contenitore dispositivo fornitore:SCD-80
Serie:-
Resistenza a If, F:500 mOhm @ 10mA, 100MHz
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-80
Altri nomi:BA 892 H6127
BA 892 H6127-ND
BA892H6127XTSA1TR
SP000745042
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard - Single
Descrizione dettagliata:RF Diode Standard - Single 35V 100mA SCD-80
Corrente - Max:100mA
Capacità a Vr, F:1.1pF @ 3V, 1MHz
Numero di parte base:BA892
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per BA892H6127XTSA1

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BA82902YFV-CE2 Image BA82902YFV-CE2 LAPIS Semiconductor AUTOMOTIVE INTEGRATED EMI FILTER Inchiesta
BA885E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23 Inchiesta
BA892H6433XTMA1 Image BA892H6433XTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE RF SW 35V 100MA SCD80 Inchiesta
BA89202VH6327XTSA1 Image BA89202VH6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE RF SW 35V 100MA SC79 Inchiesta
BA89202VH6433XTMA1 Image BA89202VH6433XTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE RF SW 35V 100MA SC79 Inchiesta
BA82902YFVJ-CE2 Image BA82902YFVJ-CE2 LAPIS Semiconductor AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT Inchiesta
BA89502VH6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE GEN PURP SC79-2 Inchiesta
BA82904YFVM-CTR Image BA82904YFVM-CTR LAPIS Semiconductor EXCELLENT EMI CHARACTERISTICS GR Inchiesta
BA8522RFVM-TR Image BA8522RFVM-TR LAPIS Semiconductor IC OPAMP GP 6MHZ 8MSOP Inchiesta
BA885E7631HTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE RF SOT23 Inchiesta
BA89202VH6127XTSA1 Image BA89202VH6127XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE RF SW 35V 100MA SC79 Inchiesta
BA892H6327XTSA1 Image BA892H6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE RF SW 35V 100MA SCD80 Inchiesta
BA8391G-TR Image BA8391G-TR LAPIS Semiconductor IC COMPARATOR OPEN 5-SSOP Inchiesta
BA82904YF-CE2 LAPIS Semiconductor AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT Inchiesta
BA8522RFV-E2 Image BA8522RFV-E2 LAPIS Semiconductor IC OPAMP GP 6MHZ 8SSOPB Inchiesta
BA82902YFJ-CE2 Image BA82902YFJ-CE2 LAPIS Semiconductor AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT Inchiesta
BA895H6327XTSA1 Image BA895H6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE RF SW 50V 50MA SCD80 Inchiesta
BA891,115 Image BA891,115 NXP Semiconductors / Freescale DIODE SWITCH BAND 35V SOD-523 Inchiesta
BA892H6770XTSA1 Image BA892H6770XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) DIODE RF SW 35V 100MA SCD80 Inchiesta
BA8522RF-E2 Image BA8522RF-E2 LAPIS Semiconductor IC OPAMP GP 6MHZ 8SOP Inchiesta

Latest Notizie