AS4C64M16MD1A-5BINTR
Modello di prodotti:
AS4C64M16MD1A-5BINTR
fabbricante:
Alliance Memory, Inc.
Descrizione:
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
67729 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
AS4C64M16MD1A-5BINTR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:15ns
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR
Contenitore dispositivo fornitore:60-FBGA (9x8)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:60-VFBGA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-FBGA (9x8)
Frequenza dell'orologio:200MHz
Tempo di accesso:5ns
Email:[email protected]

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