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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTMC120HRM40CT3AG
APTMC120HRM40CT3AG
Modello di prodotti:
APTMC120HRM40CT3AG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
POWER MODULE - SIC MOSFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
34049 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APTMC120HRM40CT3AG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 12.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:34 mOhm @ 50A, 20V
Potenza - Max:375W
Contenitore / involucro:Module
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2788pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:161nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 73A (Tc) 375W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:73A (Tc)
Email:[email protected]

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