APTM20HM20STG
Modello di prodotti:
APTM20HM20STG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
36409 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTM20HM20STG.pdf2.APTM20HM20STG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:24 mOhm @ 44.5A, 10V
Potenza - Max:357W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6850pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:112nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 89A 357W Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:89A
Email:[email protected]

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