APTM120DA15G
Modello di prodotti:
APTM120DA15G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
94687 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTM120DA15G.pdf2.APTM120DA15G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:175 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1250W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:20600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:748nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1200V 60A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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