APTM100TA35FPG
APTM100TA35FPG
Modello di prodotti:
APTM100TA35FPG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
85912 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTM100TA35FPG.pdf2.APTM100TA35FPG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP6-P
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:420 mOhm @ 11A, 10V
Potenza - Max:390W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:186nC @ 10V
Tipo FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A
Email:[email protected]

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