APTGT50H60T1G
Modello di prodotti:
APTGT50H60T1G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
39543 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTGT50H60T1G.pdf2.APTGT50H60T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.9V @ 15V, 50A
Contenitore dispositivo fornitore:SP1
Serie:-
Potenza - Max:176W
Contenitore / involucro:SP1
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
Termistore NTC:Yes
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:3.15nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
Corrente - Cutoff collettore (max):250µA
Corrente - collettore (Ic) (max):80A
Configurazione:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

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