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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGT35A120D1G
APTGT35A120D1G
Modello di prodotti:
APTGT35A120D1G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
66036 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APTGT35A120D1G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.1V @ 15V, 35A
Contenitore dispositivo fornitore:D1
Serie:-
Potenza - Max:205W
Contenitore / involucro:D1
temperatura di esercizio:-
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:2.5nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
Corrente - Cutoff collettore (max):5mA
Corrente - collettore (Ic) (max):55A
Configurazione:Half Bridge
Email:[email protected]

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