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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGF200U120DG
APTGF200U120DG
Modello di prodotti:
APTGF200U120DG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1200V 275A 1136W SP6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
77214 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTGF200U120DG.pdf2.APTGF200U120DG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.7V @ 15V, 200A
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Potenza - Max:1136W
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:13.8nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
Descrizione dettagliata:IGBT Module NPT Single 1200V 275A 1136W Chassis Mount SP6
Corrente - Cutoff collettore (max):500µA
Corrente - collettore (Ic) (max):275A
Configurazione:Single
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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