AOT12N65
AOT12N65
Modello di prodotti:
AOT12N65
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
80302 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.AOT12N65.pdf2.AOT12N65.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:720 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):278W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2150pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 12A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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