| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-DFN-EP (3x3) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10.2 mOhm @ 13A, 10V |
| Potenza - Max: | 2.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 785-1509-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 485pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 13A, 15A 2.5W Surface Mount 8-DFN-EP (3x3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A, 15A |
| Email: | [email protected] |
