AON6532P
Modello di prodotti:
AON6532P
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
80406 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
AON6532P.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:710mV @ 1A
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.1 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):35.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 68A (Tc) 35.5W (Tc) Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:68A (Tc)
Email:[email protected]

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