| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 900mV @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-DFN-EP (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 68 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2.1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 415pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 2.1W Surface Mount 6-DFN-EP (2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A |
| Email: | [email protected] |
