AOD7S65
AOD7S65
Modello di prodotti:
AOD7S65
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
45193 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.AOD7S65.pdf2.AOD7S65.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:aMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:650 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):89W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:785-1537-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:434pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 7A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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