AOC3868
Modello di prodotti:
AOC3868
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
66292 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
AOC3868.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-DFN (2.7x1.8)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Potenza - Max:2.5W
Contenitore / involucro:6-XDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 6-DFN (2.7x1.8)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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