AOB1100L
AOB1100L
Modello di prodotti:
AOB1100L
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 8A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
41735 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.AOB1100L.pdf2.AOB1100L.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (D²Pak)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:11.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 500W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:785-1319-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4833pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 8A (Ta), 130A (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta), 130A (Tc)
Email:[email protected]

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