| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 16V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | - |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-126B-A1 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 5W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-225AA, TO-126-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenza - transizione: | 1GHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 16V 500mA 1GHz 5W Through Hole TO-126B-A1 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 20 @ 200mA, 13.5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 10µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
