| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 150V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 1mA, 10mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | LSTM |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 800mW |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 200MHz 800mW Through Hole LSTM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
