| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 80V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | MT-4-A1 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 3-SIP |
| Altri nomi: | 2SB1417A0ACT 2SB1417A0ACT-ND 2SB1417ACT 2SB1417ACT-ND 2SB1417APACT |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenza - transizione: | 30MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 3A 30MHz 2W Through Hole MT-4-A1 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1A, 4V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 3A |
| Numero di parte base: | 2SB1417 |
| Email: | [email protected] |
