| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 150V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 3mA, 30mA |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 750mW |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | 2SA11230RACT 2SACT11230RACT |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 200MHz 750mW Through Hole TO-92 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 130 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 1µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 50mA |
| Numero di parte base: | 2SA1123 |
| Email: | [email protected] |
