2N7002LT1
2N7002LT1
Modello di prodotti:
2N7002LT1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
57367 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.2N7002LT1.pdf2.2N7002LT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):225mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:2N7002LT1OSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:115mA (Tc)
Email:[email protected]

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