| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-46-3 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-46-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 10µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
