| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 160V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 630mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | 2N5551 T/R 2N5551 T/R-ND 933215530116 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 300MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 300mA 300MHz 630mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 50nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 300mA |
| Numero di parte base: | 2N5551 |
| Email: | [email protected] |
