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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N5416UA/TR
2N5416UA/TR
Modello di prodotti:
2N5416UA/TR
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
POWER BJT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
RoHS non conforme
Quantità:
71181 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
2N5416UA/TR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):300V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:2V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP
Contenitore dispositivo fornitore:UA
Serie:-
Stato RoHS:RoHS non-compliant
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-SMD, No Lead
temperatura di esercizio:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A Surface Mount UA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 50mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):50µA
Corrente - collettore (Ic) (max):1A
Email:[email protected]

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