| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 60V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 100µA |
| Tipo transistor: | 2 PNP (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-78-6 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 600mW |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-78-6 Metal Can |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenza - transizione: | 100MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 150 @ 1mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 10nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
