Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N6663US
1N6663US
1N6663US
Modello di prodotti:
1N6663US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
75927 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1N6663US.pdf
Inchiesta

introduzione

1N6663US miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di 1N6663US, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 1N6663US via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1V @ 400mA
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:D-5A
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, A
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 600V 500mA (DC) Surface Mount D-5A
Corrente - Dispersione inversa a Vr:50nA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):500mA (DC)
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per 1N6663US

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N6675 Image 1N6675 Microsemi DIODE SCHOTTKY 20V 200MA DO35 Inchiesta
1N6701US Microsemi DIODE SCHOTTKY 30V 5A D5C Inchiesta
1N6643US Semtech .3A ULTRA FAST 75V Inchiesta
1N6761 Microsemi DIODE SCHOTTKY DO-41 Inchiesta
1N6651 Microsemi RECTIFIER DIODE Inchiesta
1N6676 Image 1N6676 Microsemi DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35 Inchiesta
1N6760 Image 1N6760 Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO41 Inchiesta
1N6761-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-41 Inchiesta
1N6759 Image 1N6759 Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO41 Inchiesta
1N6662US Microsemi RECTIFIER DIODE Inchiesta
1N6643US Image 1N6643US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B Inchiesta
1N6663 Microsemi RECTIFIER DIODE Inchiesta
1N6701 Microsemi DIODE SCHOTTKY Inchiesta
1N6660 Image 1N6660 Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA Inchiesta
1N6700 Microsemi DIODE SCHOTTKY Inchiesta
1N6662 Microsemi RECTIFIER DIODE Inchiesta
1N6643 Semtech DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL Inchiesta
1N6659 Image 1N6659 Microsemi DIODE ARRAY GP 200V 15A TO254AA Inchiesta
1N6642US Semtech .3A ULTRA FAST 100V Inchiesta
1N6700US Microsemi DIODE SCHOTTKY 20V 5A D5C Inchiesta

Latest Notizie