| Condizione | New and Original |
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| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - Zener (Nom) (Vz): | 5.1V |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.5V @ 1A |
| Tolleranza: | ±5% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | E, Axial |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 5W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | E, Axial |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedenza (Max) (zzt): | 400 Ohms |
| Descrizione dettagliata: | Zener Diode 5.1V 5W ±5% Through Hole E, Axial |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 5µA @ 1V |
| Numero di parte base: | 1N6637 |
| Email: | [email protected] |
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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1N6636 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.7V 5W AXIAL | Inchiesta |
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1N6642 | Semtech | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL | Inchiesta |
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1N6638US | Microsemi | DIODE GEN PURPOSE | Inchiesta |
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1N6636US | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 5W D5B | Inchiesta |
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1N6632US | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 5W D5B | Inchiesta |
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1N6638 | Semtech | DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL | Inchiesta |
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1N6632 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL | Inchiesta |
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1N6642U | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | Inchiesta |
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1N6637US | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 5W D5B | Inchiesta |
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1N6634 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL | Inchiesta |
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1N6639US | Microsemi | DIODE GEN PURPOSE | Inchiesta |
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1N6635 | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 5W AXIAL | Inchiesta |
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1N6638US | Semtech | .3A ULTRA FAST 115V | Inchiesta |
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1N6640US | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | Inchiesta |
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1N6634US | Microsemi | DIODE ZENER 3.9V 5W D5B | Inchiesta |
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1N6633 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL | Inchiesta |
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1N6641 | Microsemi | DIODE GEN PURPOSE | Inchiesta |
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1N6635US | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 5W D5B | Inchiesta |
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1N6633US | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 5W D5B | Inchiesta |
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1N6641US | Microsemi | DIODE GEN PURPOSE | Inchiesta |