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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N6629US
1N6629US
Modello di prodotti:
1N6629US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
55925 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1N6629US.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.4V @ 1.4A
Tensione - inversa (Vr) (max):880V
Contenitore dispositivo fornitore:A-MELF
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):50ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, A
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount A-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr:2µA @ 880V
Corrente - raddrizzata media (Io):1.4A
Capacità a Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N6629US

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N6625E3 Image 1N6625E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6633US Microsemi DIODE ZENER 3.6V 5W D5B Inchiesta
1N6630US Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B Inchiesta
1N6630 Image 1N6630 Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6631US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF Inchiesta
1N6632US Image 1N6632US Microsemi DIODE ZENER 3.3V 5W D5B Inchiesta
1N6625 Image 1N6625 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6627 Image 1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6634US Microsemi DIODE ZENER 3.9V 5W D5B Inchiesta
1N6625US Image 1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF Inchiesta
1N6628US Image 1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6628 Image 1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6629 Image 1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6633 Image 1N6633 Microsemi Corporation DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL Inchiesta
1N6626US Image 1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6626 Image 1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6627US Image 1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6631 Image 1N6631 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6634 Image 1N6634 Microsemi Corporation DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL Inchiesta
1N6632 Image 1N6632 Microsemi DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL Inchiesta

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