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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N5554
1N5554
Modello di prodotti:
1N5554
fabbricante:
Semtech
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL
Quantità:
49776 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1N5554.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max):1000V
Contenitore dispositivo fornitore:Axial
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):2µs
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Axial
Altri nomi:1N5554S
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 1000V 5A Through Hole Axial
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1µA @ 1000V
Corrente - raddrizzata media (Io):5A
Capacità a Vr, F:92pF @ 5V, 1MHz
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N5614GP-E3/73 Image 1N5614GP-E3/73 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC Inchiesta
1N5614GP-E3/54 Image 1N5614GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC Inchiesta
1N5553US Semtech DIODE GEN PURP 800V 5A Inchiesta
1N5554US Semtech DIODE GEN PURP 1KV 5A Inchiesta
1N5614GPHE3/54 Image 1N5614GPHE3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC Inchiesta
1N5554 Image 1N5554 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Inchiesta
1N5552 Semtech DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL Inchiesta
1N5552US Image 1N5552US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A D5B Inchiesta
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1N5615GP-E3/54 Image 1N5615GP-E3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC Inchiesta
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