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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N3890
1N3890
Modello di prodotti:
1N3890
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
FAST RECOVERY RECTIFIER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
RoHS non conforme
Quantità:
70205 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1N3890.pdf
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Serie:*
Stato RoHS:RoHS non-compliant
Altri nomi:1N3890MS
Descrizione dettagliata:Diode
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Parti relative per 1N3890

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N3890 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 Inchiesta
1N3892 Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3883 Image 1N3883 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 Inchiesta
1N3890A Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3891AR Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3889 Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3883R Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3883 Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3889R Image 1N3889R GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 Inchiesta
1N3890AR Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3891R Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3891R GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 Inchiesta
1N3883R Image 1N3883R GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 Inchiesta
1N3891 Image 1N3891 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 Inchiesta
1N3889R Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
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1N3882R GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4 Inchiesta
1N3890R GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 Inchiesta
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