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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N3889R
1N3889R
1N3889R
Modello di prodotti:
1N3889R
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
91075 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.1N3889R.pdf2.1N3889R.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.4V @ 12A
Tensione - inversa (Vr) (max):50V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-4
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):200ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:DO-203AA, DO-4, Stud
Altri nomi:1242-1108
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis, Stud Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard, Reverse Polarity
Descrizione dettagliata:Diode Standard, Reverse Polarity 50V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Corrente - Dispersione inversa a Vr:25µA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io):12A
Capacità a Vr, F:-
Numero di parte base:1N3889R
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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1N3889 Image 1N3889 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 Inchiesta
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1N3890 Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3891R GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 Inchiesta
1N3890AR Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
1N3890A Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
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1N3890 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 Inchiesta
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