Kartu garis
| Gambar | Nomor bagian | Deskripsi | Melihat |
|---|---|---|---|
 |
PXAC201602FC-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
PTFB090901FA-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
 |
CGHV40320D-GP4 | RF MOSFET HEMT 50V DIE | Penyelidikan |
 |
CGH40180PP | RF MOSFET HEMT 28V 440199 | Penyelidikan |
 |
CGHV96050F1 | RF MOSFET HEMT 40V 440210 | Penyelidikan |
 |
CGH55015F1 | RF MOSFET HEMT 28V 440196 | Penyelidikan |
 |
C4D10120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Penyelidikan |
|
PTFB093608FV-V3-R2 | FET RF 2CH 65V 960MHZ H-37275G-6 | Penyelidikan |
 |
CGHV14500F | RF MOSFET HEMT 50V 440117 | Penyelidikan |
|
CPW2-1200-S010B-SK | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A | Penyelidikan |
 |
CGH55030F2 | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | Penyelidikan |
 |
CGHV40180F | RF MOSFET HEMT 50V 440223 | Penyelidikan |
 |
C2M0280120D | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 | Penyelidikan |
|
PTVA120252MT-V1-R1K | RF MOSFET LDMOS DUAL 16SON | Penyelidikan |
 |
CSD04060E | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2 | Penyelidikan |
|
E3M0280090D | E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC | Penyelidikan |
|
C3M0120090D | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | Penyelidikan |
|
PTAB182002FC-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
C3D04060A | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2 | Penyelidikan |
 |
PTVA123501FC-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37248-2 | Penyelidikan |
|
C3D02060E | DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO252-2 | Penyelidikan |
 |
C2M0080170P | ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS | Penyelidikan |
|
PTFB241402F-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37248-4-1 | Penyelidikan |
 |
CRF24010FE | FET RF 120V 1.95GHZ 440166 | Penyelidikan |
|
PXAD214218FV-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 | Penyelidikan |
 |
C3D03060F | DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-F2 | Penyelidikan |
|
C2D10120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Penyelidikan |
|
CSD06060A | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 | Penyelidikan |
|
PTFB183404F-V2-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37275-6 | Penyelidikan |
|
PTFA220081M-V4 | FET RF LDMOS 8W SON10 | Penyelidikan |
|
CSD20030D | DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V TO247 | Penyelidikan |
|
PTFB093608FV-V3-R0 | FET RF 2CH 65V 960MHZ H-37275G-6 | Penyelidikan |
 |
CGHV22100F | RF MOSFET HEMT 50V 440162 | Penyelidikan |
 |
CGH40045F | RF MOSFET HEMT 28V 440193 | Penyelidikan |
|
E3M0065090D | E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M | Penyelidikan |
 |
PTVA120251EA-V2-R0 | IC AMP RF LDMOS H-36265-2 | Penyelidikan |
|
C3D04065A | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 | Penyelidikan |
|
PTFC262808FV-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
CPW2-1200-S010B-FR1 | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A | Penyelidikan |
|
PXAC182002FC-V2-R2 | IC AMP RF LDMOS H-37248C-4 | Penyelidikan |
 |
CGHV1J025D-GP4 | RF MOSFET HEMT 40V DIE | Penyelidikan |
|
PTFC262157FH-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
PXAC241702FC-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
PXAC210552ND-V1-R5 | RF MOSFET LDMOS DUAL PG-HB1SOF-4 | Penyelidikan |
 |
CGH09120F | RF MOSFET HEMT 28V 440095 | Penyelidikan |
|
C2M0160120D | MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 | Penyelidikan |
|
PTVA120251EA-V1-R250 | RF MOSFET LDMOS H-36265-2 | Penyelidikan |
|
C3D10065A | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | Penyelidikan |
 |
C3M0120100K | MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L | Penyelidikan |
|
PTFA080551F-V4-R0 | RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 | Penyelidikan |
catatan 391