ZXMN10B08E6TC
ZXMN10B08E6TC
Osa numero:
ZXMN10B08E6TC
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
41573 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
ZXMN10B08E6TC.pdf

esittely

ZXMN10B08E6TC paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on ZXMN10B08E6TC: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille ZXMN10B08E6TC: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-26
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:230 mOhm @ 1.6A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.1W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:497pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.3V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 100V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.6A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit