| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 370mV @ 250mA, 2.5A |
| transistori tyyppi: | PNP + Diode (Isolated) |
| Toimittaja Device Package: | 8-MLP (3x2) |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 3W |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | ZX3CD3S1M832DKR |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 190MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 40V 3A 190MHz 3W Surface Mount 8-MLP (3x2) |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 1.5A, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 25nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 3A |
| Perusosan osanumero: | ZX3CD3S1M832 |
| Email: | [email protected] |
