| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| transistori tyyppi: | 8 NPN Darlington |
| Toimittaja Device Package: | 18-DIP |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 2.25W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Käyttölämpötila: | -20°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 350mA, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | - |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
