TK72A08N1,S4X
TK72A08N1,S4X
Osa numero:
TK72A08N1,S4X
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
41083 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
TK72A08N1,S4X.pdf

esittely

TK72A08N1,S4X paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on TK72A08N1,S4X: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille TK72A08N1,S4X: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220SIS
Sarja:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 40A, 10V
Tehonkulutus (Max):45W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Muut nimet:TK72A08N1,S4X(S
TK72A08N1,S4X-ND
TK72A08N1S4X
TK72A08N1S4X(S
TK72A08N1S4X(S-ND
TK72A08N1S4XS
TK80A08K3(Q)
TK80A08K3(Q,M)
TK80A08K3(QM)
TK80A08K3(QM)-ND
TK80A08K3Q
TK80A08K3Q-ND
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:8200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:175nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 75V 80A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit