STW26NM60ND
STW26NM60ND
Osa numero:
STW26NM60ND
Valmistaja:
STMicroelectronics
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
37244 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
STW26NM60ND.pdf

esittely

STW26NM60ND paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on STW26NM60ND: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille STW26NM60ND: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247
Sarja:FDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:175 mOhm @ 10.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):190W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:497-14225-5
STW26NM60ND-ND
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1817pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:54.6nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 600V 21A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit