| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 135mA, 400mA |
| transistori tyyppi: | NPN |
| Toimittaja Device Package: | TO-92AP |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 950mW |
| Pakkaus: | Tape & Box (TB) |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Muut nimet: | 497-12548-3 STBV45-AP-ND STBV45AP |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 750mA 950mW Through Hole TO-92AP |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 5 @ 400mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 250µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 750mA |
| Perusosan osanumero: | STBV45 |
| Email: | [email protected] |
