SSVMUN5312DW1T2G
SSVMUN5312DW1T2G
Osa numero:
SSVMUN5312DW1T2G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
55722 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SSVMUN5312DW1T2G.pdf

esittely

SSVMUN5312DW1T2G paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SSVMUN5312DW1T2G: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SSVMUN5312DW1T2G: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:SC-88/SC70-6/SOT-363
Sarja:-
Vastus - emitteripohja (R2):22 kOhms
Vastus - pohja (R1):22 kOhms
Virta - Max:187mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:40 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen:-
Yksityiskohtainen kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Perusosan osanumero:MUN53**DW1
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit