SQJA84EP-T1_GE3
SQJA84EP-T1_GE3
Osa numero:
SQJA84EP-T1_GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
66572 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SQJA84EP-T1_GE3.pdf

esittely

SQJA84EP-T1_GE3 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SQJA84EP-T1_GE3: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SQJA84EP-T1_GE3: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8
Sarja:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:12.5 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):55W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8
Muut nimet:SQJA84EP-T1_GE3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 80V 46A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:46A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit