| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 2mA, 1A |
| transistori tyyppi: | 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) |
| Toimittaja Device Package: | 12-SIP |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 4W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 12-SIP |
| Muut nimet: | SMA6080 DK |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 50MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 2A 50MHz 4W Through Hole 12-SIP |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 2000 @ 1A, 4V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
