| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Toimittaja Device Package: | 8-PowerPair® (6x5) |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Virta - Max: | 48W, 100W |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
| Muut nimet: | SIZ910DT-T1-GE3CT |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 48W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 40A |
| Perusosan osanumero: | SIZ910 |
| Email: | [email protected] |
