SI8441DB-T2-E1
Osa numero:
SI8441DB-T2-E1
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
55948 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SI8441DB-T2-E1.pdf

esittely

SI8441DB-T2-E1 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SI8441DB-T2-E1: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SI8441DB-T2-E1: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:700mV @ 250µA
Vgs (Max):±5V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:6-Micro Foot™ (1.5x1)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 1A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):2.77W (Ta), 13W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-MICRO FOOT™
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Yksityiskohtainen kuvaus:P-Channel 20V 10.5A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit