SI7949DP-T1-E3
SI7949DP-T1-E3
Osa numero:
SI7949DP-T1-E3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
68366 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SI7949DP-T1-E3.pdf

esittely

SI7949DP-T1-E3 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SI7949DP-T1-E3: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SI7949DP-T1-E3: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8 Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:64 mOhm @ 5A, 10V
Virta - Max:1.5W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8 Dual
Muut nimet:SI7949DP-T1-E3TR
SI7949DPT1E3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.2A
Perusosan osanumero:SI7949
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit