SI5915BDC-T1-E3
SI5915BDC-T1-E3
Osa numero:
SI5915BDC-T1-E3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
62755 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SI5915BDC-T1-E3.pdf

esittely

SI5915BDC-T1-E3 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SI5915BDC-T1-E3: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SI5915BDC-T1-E3: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Toimittaja Device Package:1206-8 ChipFET™
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Virta - Max:3.1W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SMD, Flat Lead
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:420pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 8V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):8V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A
Perusosan osanumero:SI5915
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit