| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 47 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Virta - Max: | 2.78W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | SI4532CDY-T1-GE3-ND SI4532CDY-T1-GE3TR SI4532CDYT1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 32 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 305pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SO |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6A, 4.3A |
| Perusosan osanumero: | SI4532 |
| Email: | [email protected] |
