SI4204DY-T1-GE3
Osa numero:
SI4204DY-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
52788 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SI4204DY-T1-GE3.pdf

esittely

SI4204DY-T1-GE3 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SI4204DY-T1-GE3: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SI4204DY-T1-GE3: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.6 mOhm @ 10A, 10V
Virta - Max:3.25W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SI4204DY-T1-GE3TR
SI4204DYT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:27 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Standard
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 19.8A 3.25W Surface Mount 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:19.8A
Perusosan osanumero:SI4204
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit