SI1424EDH-T1-GE3
Osa numero:
SI1424EDH-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
77780 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
SI1424EDH-T1-GE3.pdf

esittely

SI1424EDH-T1-GE3 paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on SI1424EDH-T1-GE3: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille SI1424EDH-T1-GE3: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 5A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:SI1424EDH-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 8V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 20V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit