S1JVNJD2873T4G
Osa numero:
S1JVNJD2873T4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANSISTOR PNP BIPO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
35742 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
S1JVNJD2873T4G.pdf

esittely

S1JVNJD2873T4G paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on S1JVNJD2873T4G: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille S1JVNJD2873T4G: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 50mA, 1A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:-
Virta - Max:1.68W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-65°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen:65MHz
Yksityiskohtainen kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 65MHz 1.68W Surface Mount DPAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 500mA, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):2A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit